半導體三極管(Transistor)

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半導體三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半導體锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP(或NPN)结构。
      半導體三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极，双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
      三極管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。 
I  双极性晶体管（BJT）
      BJT是由兩個PN結的三層半導體製成的。中間是一塊很薄的P型（N型）半導體，兩邊各為一塊N型（P型）半導體。從三塊半導體上各自接出的一根引線就是BJT的三個電極，它們分別叫做發射極e、基極b、集電極c，是一種電流控制器件。
      三極管（BJT）的種類很多。按照頻率分，有高頻管，低頻管；按功率分，有小、中、大功率管；按照半導體材料分，有硅管，鍺管等等。是從它的外形來看，BJT都有三個電極，但根據結構的不同，BJT一般可以分成兩種類型：NPN型和PNP型。
      NPN型和PNP型BJT具有幾乎等同的特性，只不過各電極端的電壓機性和電流流向不同而已。
      我們常說的三極管是BJT類型的。
II 場效應晶体管（FET）
      場效應晶体管(field effect transistor, FET)簡稱場效應管，是一種電壓控制器件，與一般電晶體同樣是三端子元件，兩者功能類似：一般電晶體可做類比放大器、數位開關、邏輯閘等，場效電晶體也有相同的應用。
      場效電晶體的種類很多，有JFET(结型场效应晶体管)、空乏型MOSFET(金属半导体场效应晶体管 )、增強型MOSFET等，而且依照載體不同又有N-channel 與P-channel 之分(如同NPN 與PNP電晶體)。其中最為常見的場效電晶體是[增強型]MOSFET (enhancement mode MOSFET, 簡稱E-MOS) 。
      場效應管具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点 。
      我們常應用的MOS就是屬於FET的
FET與BJT在許多應用中可互相替代，可說是兩種相互競爭的元件；另一方面，FET與BJT各有所長，也各有缺憾，因此兩者也常搭配使用，彼此截長補短，相輔相成。
      MOSFET與BJT最主要的差異是：MOSFET的門極與源極之間幾乎是絕緣狀態，因此當G、S極之間施加直流偏壓時，門極電流為零(IG = 0)。MOSFET 的輸入阻抗遠大於BJT。
      MOSFET導通與否並非由門極電流控制，而是取決於門極與源極之間的電位差(VGS)，因此一般稱MOSFET為電壓控制元件；而BJT因為IC大小由IB決定，因此稱為電流控制元件。
      MOSFET的熱性能比三極管(BJT)要好，大電流的應用時一般選擇MOS元件。